Número do Produto do Fabricante:
SPW35N60C3FKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPW35N60C3FKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventário:
198 Pcs Novo Original Em Estoque
12808198
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SPW35N60C3FKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 21.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 1.9mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
313W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-1
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
SPW35N60
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SPW35N60C3IN-DG
SPW35N60C3IN
INFINFSPW35N60C3FKSA1
SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-DG
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
2156-SPW35N60C3FKSA1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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