Número do Produto do Fabricante:
FCH099N60E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FCH099N60E-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
12846675
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FCH099N60E Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
-
Série
SuperFET® II
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3465 pF @ 380 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
357W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
FCH099
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-FCH099N60E-OS
ONSONSFCH099N60E
Pacote padrão
450
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB099PW C1G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2055
NÚMERO DA PEÇA
TSM60NB099PW C1G-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.18
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573
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PREÇO UNITÁRIO
3.03
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2.31
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PREÇO UNITÁRIO
6.38
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117
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PREÇO UNITÁRIO
6.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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