Número do Produto do Fabricante:
G10N10A
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G10N10A-DG
Descrição:
N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
4794 Pcs Novo Original Em Estoque
12986870
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
G10N10A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
690 pF @ 25 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G10N10ATR
3141-G10N10ADKR
3141-G10N10ACT
3141-G10N10ATR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
SQD15N06-42L_T4GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
G15N06K
N-CH, 60V,15A,RD(MAX)<45M@10V,RD
MCAC38N10YA-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060
