Número do Produto do Fabricante:
BS108,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BS108,126-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventário:
12823460
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BS108,126 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
300mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 2.8V
vgs(th) (máx) @ id
1.8V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número do produto base
BS10
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BS108 AMO-DG
934003840126
BS108 AMO
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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