Número do Produto do Fabricante:
IRF7779L2TR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF7779L2TR1PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventário:
12823470
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IRF7779L2TR1PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DirectFET™ Isometric L8
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric L8
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001575282
IRF7779L2TR1PBFTR
IRF7779L2TR1PBFDKR
IRF7779L2TR1PBFCT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF7779L2TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4142
NÚMERO DA PEÇA
IRF7779L2TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.80
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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