Número do Produto do Fabricante:
G11S
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G11S-DG
Descrição:
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
Descrição Detalhada:
P-Channel 20 V 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventário:
1730 Pcs Novo Original Em Estoque
13001113
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G11S Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2455 pF @ 10 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G11STR
3141-G11SCT
3141-G11SDKR
4822-G11STR
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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