Número do Produto do Fabricante:
APT9M100S/TR
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
APT9M100S/TR-DG
Descrição:
MOSFET MOS8 1000 V 9 A TO-268
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventário:
329 Pcs Novo Original Em Estoque
12978682
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
APT9M100S/TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
POWER MOS 8™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2605 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
335W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D3Pak
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
APT9M100
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
150-APT9M100S/TRCT
150-APT9M100S/TR
Pacote padrão
400
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMN6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
MSCSM120DAM31CTBL1NG
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
DMTH61M8SPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506