Número do Produto do Fabricante:
DMN6010SCTB-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN6010SCTB-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 128A (Tc) 5W (Ta), 312W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
Inventário:
12978692
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DMN6010SCTB-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2692 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 312W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263AB (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
DMN6010
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMN6010SCTB-13TR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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