Número do Produto do Fabricante:
IXTH110N10L2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTH110N10L2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventário:
12821833
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IXTH110N10L2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Linear L2™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
600W (Tc)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 (IXTH)
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXTH110
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
624231
Q5291125
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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