Número do Produto do Fabricante:
IXTF6N200P3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTF6N200P3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
Descrição Detalhada:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventário:
12821834
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IXTF6N200P3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Polar P3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
2000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
215W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS i4-PAC™
Pacote / Estojo
ISOPLUSi5-PAK™
Número do produto base
IXTF6
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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