Número do Produto do Fabricante:
IXTF1N250
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTF1N250-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Descrição Detalhada:
N-Channel 2500 V 1A (Tc) 110W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Inventário:
12819673
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IXTF1N250 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
2500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS i4-PAC™
Pacote / Estojo
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Número do produto base
IXTF1
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
Q7319967A
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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