IXTP01N100D
Número do Produto do Fabricante:

IXTP01N100D

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXTP01N100D-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventário:

RFQ Online
12819679
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IXTP01N100D Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Depletion
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 25µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
100 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXTP01

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
IXT(P,U,Y)01N100D
Fichas Técnicas
IXTP01N100D
Folha de Dados HTML
IXTP01N100D-DG

Informação Adicional

Outros nomes
607074
Q1614635
IXTP01N100D-NDR
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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