Número do Produto do Fabricante:
IXFX30N100Q2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFX30N100Q2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventário:
12818936
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IXFX30N100Q2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Q2 Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
735W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXFX30
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFX32N100Q3
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
256
NÚMERO DA PEÇA
IXFX32N100Q3-DG
PREÇO UNITÁRIO
23.68
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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