Número do Produto do Fabricante:
IXFX32N100Q3
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFX32N100Q3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventário:
256 Pcs Novo Original Em Estoque
12819012
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
41jk
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXFX32N100Q3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Q3 Class
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
6.5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9940 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXFX32
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
-IXFX32N100Q3
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IXTA50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO263
IXTA200N075T7
MOSFET N-CH 75V 200A TO263-7
IXTU44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO251
