Número do Produto do Fabricante:
IXFX180N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFX180N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventário:
12820808
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IXFX180N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
560W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXFX180
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IXFX180N10-NDR
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTH240N15X4
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1963
NÚMERO DA PEÇA
IXTH240N15X4-DG
PREÇO UNITÁRIO
8.21
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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