Número do Produto do Fabricante:
IXFN150N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFN150N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventário:
12820813
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IXFN150N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Bulk
Série
HiPerFET™
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227B
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Número do produto base
IXFN150
Informação Adicional
Pacote padrão
20
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFN200N10P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
37
NÚMERO DA PEÇA
IXFN200N10P-DG
PREÇO UNITÁRIO
17.53
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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