Número do Produto do Fabricante:
IXFX170N20T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFX170N20T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventário:
12914117
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IXFX170N20T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Trench
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 4mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PLUS247™-3
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
IXFX170
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4668PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8420
NÚMERO DA PEÇA
IRFP4668PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.38
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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