Número do Produto do Fabricante:
IXFR180N10
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFR180N10-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 165A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventário:
12819470
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IXFR180N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
400W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ISOPLUS247™
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IXFR180
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IXFR180N10-NDR
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
HUF75652G3
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
450
NÚMERO DA PEÇA
HUF75652G3-DG
PREÇO UNITÁRIO
5.03
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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