Número do Produto do Fabricante:
HUF75652G3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
HUF75652G3-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
450 Pcs Novo Original Em Estoque
12850453
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HUF75652G3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
UltraFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
475 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7585 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
515W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
HUF75652
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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