Número do Produto do Fabricante:
IXFQ12N80P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFQ12N80P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3P
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventário:
12819122
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IXFQ12N80P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
HiPerFET™, Polar
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3P
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
IXFQ12
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQA13N80-F109
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
76
NÚMERO DA PEÇA
FQA13N80-F109-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.65
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STW10NK80Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
39
NÚMERO DA PEÇA
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PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
4.07
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
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PREÇO UNITÁRIO
2.74
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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