Número do Produto do Fabricante:
FQA13N80-F109
Product Overview
Fabricante:
onsemi
DiGi Electronics Número da Peça:
FQA13N80-F109-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 12.6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventário:
76 Pcs Novo Original Em Estoque
12837028
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FQA13N80-F109 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tube
Série
QFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3PN
Pacote / Estojo
TO-3P-3, SC-65-3
Número do produto base
FQA13
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
FQA13N80_F109
FQA13N80_F109-DG
FQA13N80_F109FS-DG
ONSONSFQA13N80-F109
FQA13N80F109
2156-FQA13N80-F109-OS
FQA13N80_F109FS
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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