Número do Produto do Fabricante:
IXFP130N10T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXFP130N10T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
12818928
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IXFP130N10T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
HiPerFET™, Trench
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5080 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IXFP130
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SUP70090E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
370
NÚMERO DA PEÇA
SUP70090E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.27
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FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
587
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PREÇO UNITÁRIO
1.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
504
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PREÇO UNITÁRIO
2.88
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
43
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PREÇO UNITÁRIO
0.64
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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CSD19533KCS
FABRICANTE
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QUANTIDADE DISPONÍVEL
2169
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PREÇO UNITÁRIO
0.67
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