IXFN50N120SK

Número do Produto do Fabricante:

IXFN50N120SK

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFN50N120SK-DG

Descrição:

SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B

Descrição Detalhada:

N-Channel 1200 V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventário:

6 Pcs Novo Original Em Estoque

12910392

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IXFN50N120SK Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

1200 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

48A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 40A, 20V

vgs(th) (máx) @ id

2.8V @ 10mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

115 nC @ 20 V

Vgs (máx.)

+20V, -5V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1895 pF @ 1000 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

-

Temperatura de operação

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SOT-227B

Pacote / Estojo

SOT-227-4, miniBLOC

Número do produto base

IXFN50

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

IXFN50N120SK-DG

Informação Adicional

Pacote padrão

10

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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