Número do Produto do Fabricante:
IRFBC40LPBF
Product Overview
Fabricante:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFBC40LPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventário:
12910395
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IRFBC40LPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IRFBC40
Informação Adicional
Outros nomes
*IRFBC40LPBF
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FQI7N60TU
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
FQI7N60TU-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.32
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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