IXFA12N65X2

Número do Produto do Fabricante:

IXFA12N65X2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

IXFA12N65X2-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

Descrição Detalhada:

N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventário:

288 Pcs Novo Original Em Estoque

12914115

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IXFA12N65X2 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalagem

Tube

Série

HiPerFET™, Ultra X2

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

650 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

18.5 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1134 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

180W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-263AA (IXFA)

Pacote / Estojo

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Número do produto base

IXFA12

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Folhas de dados

IXF(A,P,H)12N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Informação Adicional

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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