IRF1407PBF
Número do Produto do Fabricante:

IRF1407PBF

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF1407PBF-DG

Descrição:

IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

1150 Pcs Novo Original Em Estoque
12946794
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IRF1407PBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
Pacote padrão
236

Classificação Ambiental e de Exportação

HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FDFMA2P853

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8