FDB86102LZ
Número do Produto do Fabricante:

FDB86102LZ

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

FDB86102LZ-DG

Descrição:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventário:

6118 Pcs Novo Original Em Estoque
12946803
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FDB86102LZ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
PowerTrench®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1275 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
FDB86102LZ Datasheet

Informação Adicional

Outros nomes
ONSONSFDB86102LZ
2156-FDB86102LZ
Pacote padrão
345

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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