AUIRFP4110
Número do Produto do Fabricante:

AUIRFP4110

Product Overview

Fabricante:

International Rectifier

DiGi Electronics Número da Peça:

AUIRFP4110-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventário:

15348 Pcs Novo Original Em Estoque
12946403
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

AUIRFP4110 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9620 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
370W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-AUIRFP4110
INFIRFAUIRFP4110
Pacote padrão
70

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
fairchild-semiconductor

FDMS0343S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FDMS7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF9N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FDP8030L

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3