Número do Produto do Fabricante:
FDP8030L
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
FDP8030L-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 80A (Ta) 187W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventário:
6859 Pcs Novo Original Em Estoque
12946418
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FDP8030L Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10500 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
187W (Tc)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
FAIFSCFDP8030L
2156-FDP8030L
Pacote padrão
59
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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