Número do Produto do Fabricante:
SPU02N60S5BKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPU02N60S5BKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventário:
12807456
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SPU02N60S5BKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3-21
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número do produto base
SPU02N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-SPU02N60S5BKMA1
SP000012422
SPU02N60S5-DG
SPU02N60S5X
INFINFSPU02N60S5BKMA1
SPU02N60S5
SPU02N60S5IN-DG
SPU02N60S5XK
SPU02N60S5IN
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFUC20PBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7
NÚMERO DA PEÇA
IRFUC20PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3586
NÚMERO DA PEÇA
STD3N62K3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.36
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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