Número do Produto do Fabricante:
IRF6629TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6629TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 29A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventário:
12807461
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IRF6629TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Ta), 180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4260 pF @ 13 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MX
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MX
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IRF6629TRPBFTR
IRF6629TRPBFCT
SP001526802
IRF6629TRPBFDKR
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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