SPI47N10
Número do Produto do Fabricante:

SPI47N10

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

SPI47N10-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 175W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1

Inventário:

12808069
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SPI47N10 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
175W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3-1
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
SPI47N

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP000013951
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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