Número do Produto do Fabricante:
SPP18P06PHXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPP18P06PHXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
711 Pcs Novo Original Em Estoque
12808072
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SPP18P06PHXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
81.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
SPP18P06
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SPP18P06P G-DG
IFEINFSPP18P06PHXKSA1
SPP18P06P H
SPP18P06PH
2156-SPP18P06PHXKSA1
SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P H-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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