SPB80P06PGATMA1
Número do Produto do Fabricante:

SPB80P06PGATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

SPB80P06PGATMA1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventário:

41 Pcs Novo Original Em Estoque
12806151
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SPB80P06PGATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 5.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
340W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB80P06

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP000096088
SPB80P06P G-DG
SPB80P06PGATMA1CT
SPB80P06PGXT
SPB80P06PGINDKR-DG
SPB80P06PGINCT
SPB80P06P G
SPB80P06PG
SPB80P06PGINDKR
SPB80P06PGATMA1DKR
SPB80P06PGATMA1TR
SPB80P06PGINDKRINACTIVE
SPB80P06PGINCT-DG
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGINTR-DG
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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