IRFH6200TRPBF

Número do Produto do Fabricante:

IRFH6200TRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFH6200TRPBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

Descrição Detalhada:

N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventário:

3492 Pcs Novo Original Em Estoque

12806154

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IRFH6200TRPBF Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

HEXFET®

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

20 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

49A (Ta), 100A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95mOhm @ 50A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

1.1V @ 150µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

230 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

10890 pF @ 10 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-PQFN (5x6)

Pacote / Estojo

8-PowerVDFN

Número do produto base

IRFH6200

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

IRFH6200TRPBF-DG

Informação Adicional

Outros nomes

IRFH6200TRPBF-DG

IRFH6200TRPBFTR

SP001575628

IRFH6200TRPBFCT

IRFH6200TRPBFDKR

Pacote padrão

4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA

SIR404DP-T1-GE3

FABRICANTE

Vishay Siliconix

QUANTIDADE DISPONÍVEL

28137

NÚMERO DA PEÇA

SIR404DP-T1-GE3-DG

PREÇO UNITÁRIO

0.74

TIPO DE SUBSTITUIÇÃO

MFR Recommended

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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