Número do Produto do Fabricante:
SPA11N60C3IN
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPA11N60C3IN-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventário:
12806506
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SPA11N60C3IN Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 500µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-31
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
SPA11N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN-NDR
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN-DG
SPA11N60C3XTIN
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
PJMF360N60EC_T0_00001
FABRICANTE
Panjit International Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2000
NÚMERO DA PEÇA
PJMF360N60EC_T0_00001-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.25
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
SPA11N65C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
799
NÚMERO DA PEÇA
SPA11N65C3XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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