Número do Produto do Fabricante:
SPB03N60C3ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
SPB03N60C3ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
12806513
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SPB03N60C3ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 135µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
SPB03N
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SPB03N60C3ATMA1TR
SPB03N60C3INCT-NDR
SPB03N60C3INDKR
SPB03N60C3
SPB03N60C3INTR
SPB03N60C3INTR-DG
SPB03N60C3ATMA1DKR
SPB03N60C3INDKR-DG
SPB03N60C3ATMA1CT
SPB03N60C3INCT
2156-SPB03N60C3ATMA1-ITTR
SPB03N60C3XT
SPB03N60C3XTINCT-DG
SPB03N60C3XTINTR-DG
SPB03N60C3XTINTR
SPB03N60C3INCT-DG
SP000013517
SPB03N60C3XTINCT
INFINFSPB03N60C3ATMA1
SPB03N60C3INTR-NDR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB6N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11994
NÚMERO DA PEÇA
STB6N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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