Número do Produto do Fabricante:
ISC015N04NM5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
ISC015N04NM5ATMA1-DG
Descrição:
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventário:
1719 Pcs Novo Original Em Estoque
12993090
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ENVIAR
ISC015N04NM5ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™-5
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Ta), 206A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.4V @ 60µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8 FL
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
ISC015N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-ISC015N04NM5ATMA1DKR
SP005352240
448-ISC015N04NM5ATMA1CT
448-ISC015N04NM5ATMA1TR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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