SIHP15N80AEF-GE3
Número do Produto do Fabricante:

SIHP15N80AEF-GE3

Product Overview

Fabricante:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Número da Peça:

SIHP15N80AEF-GE3-DG

Descrição:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventário:

2211 Pcs Novo Original Em Estoque
12993136
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

SIHP15N80AEF-GE3 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Vishay
Embalagem
Tube
Série
EF
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1128 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
742-SIHP15N80AEF-GE3
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SQJ174EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

vishay-siliconix

SIHB5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

panjit

PJA138K_R1_00001

SOT-23, MOSFET