Número do Produto do Fabricante:
IRFSL4115PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFSL4115PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 195A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12804504
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IRFSL4115PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.1mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5270 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001573516
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPI075N15N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
498
NÚMERO DA PEÇA
IPI075N15N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.99
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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