Número do Produto do Fabricante:
IRFB5615PBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFB5615PBFXKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
13000366
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IRFB5615PBFXKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1750 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
144W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
448-IRFB5615PBFXKMA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFB5615PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2529
NÚMERO DA PEÇA
IRFB5615PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.79
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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