Número do Produto do Fabricante:
G2012
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2012-DG
Descrição:
N20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<18
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventário:
2994 Pcs Novo Original Em Estoque
13000377
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
G2012 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1255 pF @ 10 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G2012DKR
4822-G2012TR
3141-G2012TR
3141-G2012CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
DMP4065SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
GC11N65M
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
