Número do Produto do Fabricante:
IRF6798MTRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF6798MTRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 37A (Ta), 197A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventário:
12818389
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF6798MTRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37A (Ta), 197A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.35V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6560 pF @ 13 V
Recurso FET
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DIRECTFET™ MX
Pacote / Estojo
DirectFET™ Isometric MX
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001529350
Pacote padrão
4,800
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFB3307PBF
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
IPI120N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON