Número do Produto do Fabricante:
IRFB3307PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFB3307PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
491 Pcs Novo Original Em Estoque
12818395
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IRFB3307PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5150 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRFB3307
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFB3307PBF
IRFB3307PBF-DG
448-IRFB3307PBF
*IRFB3307PBF
SP001555972
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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