Número do Produto do Fabricante:
IRF3205ZPBFAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
Descrição:
TRENCH 40<-<100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventário:
13269512
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IRF3205ZPBFAKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-904
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
SP005724919
448-IRF3205ZPBFAKSA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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