Número do Produto do Fabricante:
IPP034N08N5XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP034N08N5XKSA1-DG
Descrição:
TRENCH 40<-<100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
13269516
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IPP034N08N5XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 108µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6240 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
SP005573713
448-IPP034N08N5XKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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