Número do Produto do Fabricante:
IQE220N15NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IQE220N15NM5CGATMA1-DG
Descrição:
TRENCH >=100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 44A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-3
Inventário:
13002582
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IQE220N15NM5CGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.6V @ 46µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TTFN-9-3
Pacote / Estojo
9-PowerTDFN
Número do produto base
IQE220N15
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP005399463
448-IQE220N15NM5CGATMA1TR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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