NVMYS005N10MCLTWG
Número do Produto do Fabricante:

NVMYS005N10MCLTWG

Product Overview

Fabricante:

onsemi

DiGi Electronics Número da Peça:

NVMYS005N10MCLTWG-DG

Descrição:

PTNG 100V LL LFPAK4
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 3.8W (Ta), 131W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)

Inventário:

3000 Pcs Novo Original Em Estoque
13002588
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

NVMYS005N10MCLTWG Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18.4A (Ta), 108A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 192µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4100 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 131W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK4 (5x6)
Pacote / Estojo
SOT-1023, 4-LFPAK
Número do produto base
NVMYS005

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
488-NVMYS005N10MCLTWGTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
rohm-semi

R6027YNX3C16

NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO

goford-semiconductor

G700P06J

MOSFET P-CH 60V 23A TO-251

diodes

DMN1032UCP4-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

taiwan-semiconductor

TSM150NB04LCV RGG

40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER