Número do Produto do Fabricante:
IPW95R130PFD7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW95R130PFD7XKSA1-DG
Descrição:
HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 36.5A 227W Through Hole PG-TO247-3-41
Inventário:
150 Pcs Novo Original Em Estoque
12991612
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IPW95R130PFD7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36.5A
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-41
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPW95R130PFD7XKSA1
SP005547004
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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