Número do Produto do Fabricante:
FBG10N05ASH
Product Overview
Fabricante:
EPC Space, LLC
DiGi Electronics Número da Peça:
FBG10N05ASH-DG
Descrição:
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
Inventário:
49 Pcs Novo Original Em Estoque
12991617
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FBG10N05ASH Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
EPC Space
Embalagem
Bulk
Série
eGaN®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1.2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
233 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-SMD
Pacote / Estojo
4-SMD, No Lead
Informação Adicional
Outros nomes
4107-FBG10N05ASH
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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